企业简介
无锡同方微电子有限公司 main business:半导体集成电路和器件、电子产品、仪器仪表的研发、设计、生产和销售；利用自有资产对外投资；自营各类商品及技术的进出口（国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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无锡同方微电子有限公司的工商信息
- 320213000221067
- 在业
- 有限责任公司
- 2014-08-19
- 段立
- 3000万元人民币
- 2014-08-19 至 永久
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层
- 半导体集成电路和器件、电子产品、仪器仪表的研发、设计、生产和销售；利用自有资产对外投资；自营各类商品及技术的进出口（国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
无锡同方微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105810723A | 能实现反向阻断的MOSFET的结构和方法 | 2016.07.27 | 本发明涉及MOSFET的结构及其制作方法，尤其是能实现反向阻断的MOSFET的结构及其制作方法，包括 |
| 2 | CN104280676B | 带偏置电源的功率半导体器件的检测电路 | 2017.05.03 | 本发明提供一种带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，所述检测电路包括：齐纳二极管、三极管、包括发光器 |
| 3 | CN206117618U | 一种高可靠性交流电子开关 | 2017.04.19 | 本实用新型一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组和IGBT器件组，MOSFET器件组为两个 |
| 4 | CN206059398U | 多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件 | 2017.03.29 | 本实用新型涉及一种多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件，包括元胞结构，其特征是：单个元胞包括N+衬底 |
| 5 | CN205985000U | 一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET | 2017.02.22 | 本实用新型公开了一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET，属于半导体技术领域，包括低阻N型外延层， |
| 6 | CN106373948A | 一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构 | 2017.02.01 | 本发明涉及门极可关断晶闸管技术领域，尤其是一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，包括与 |
| 7 | CN205900553U | 能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构 | 2017.01.18 | 本实用新型提出的能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构，N型外延层位于N型重掺杂衬底上且邻接，N |
| 8 | CN106340458A | 一种降低深槽型超结MOSFET制造成本的制造方法 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种降低深槽型超结MOSFET制造成本的制造方法，属于MOSFET制造方法技术领域。方法 |
| 9 | CN205752183U | 能提高耐压能力的分离栅MOSFET器件结构 | 2016.11.30 | 本实用新型提出的能提高耐压能力的分离栅MOSFET器件结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器 |
| 10 | CN205693551U | 一种门极可关断晶闸管低导通维持电路 | 2016.11.16 | 本实用新型设计一种门极可关断晶闸管低导通维持电路，其特征在于：包括比较器U<sub>1</sub>、 |
| 11 | CN205691725U | 一种集成门极可关断晶闸管测试台 | 2016.11.16 | 本实用新型设计的一种集成门极可关断晶闸管测试台，包括上下两层功能区，下层功能区位于半开放式机柜内，下 |
| 12 | CN205544903U | SJ-MOS管电路的拓扑结构 | 2016.08.31 | 本实用新型提供一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q |
| 13 | CN205488140U | 缓变开关特性的沟槽栅超结MOSFET器件 | 2016.08.17 | 本实用新型提供一种缓变开关特性的沟槽栅超结MOSFET器件，包括至少一组横向并列连接的双元胞结构；双 |
| 14 | CN205488141U | 缓变深槽超结MOSFET器件 | 2016.08.17 | 本实用新型提供一种缓变深槽超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括N+型衬底，N+型衬底 |
| 15 | CN205488137U | 栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件 | 2016.08.17 | 本实用新型提供一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件，包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向 |
| 16 | CN205488121U | 使用G-S同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构 | 2016.08.17 | 本实用新型涉MOSFET的多芯片封装结构，尤其是使用G‑S同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装 |
| 17 | CN205488138U | 渐变栅槽的沟槽栅超结MOSFET器件 | 2016.08.17 | 本实用新型提供一种渐变栅槽的沟槽栅超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括纵向连接的两个 |
| 18 | CN205488139U | 沟槽栅超结MOSFET器件 | 2016.08.17 | 本实用新型提供一种沟槽栅超结MOSFET器件，包括多个元胞，所述元胞包括N+型衬底，N+型衬底上生长 |
| 19 | CN205488094U | 使用G-D同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装结构 | 2016.08.17 | 本实用新型涉MOSFET的多芯片封装结构，尤其是使用G‑D同面的MOSFET实现反向阻断的多芯片封装 |
| 20 | CN105846656A | 一种门极可关断晶闸管低导通维持电路及控制方法 | 2016.08.10 | 本发明设计一种门极可关断晶闸管低导通维持电路及控制方法，其特征在于：包括比较器U<sub>1</su |
| 21 | CN204991717U | 能实现反向阻断的MOSFET | 2016.01.20 | 本实用新型涉及一种能实现反向阻断的MOSFET，按照本实用新型提供的技术方案，所述能实现反向阻断的M |
| 22 | CN204886737U | 集成门极可关断晶闸管三电平功率模块 | 2015.12.16 | 本实用新型涉及一种集成门极可关断晶闸管三电平功率模块，其包括金属架体，在所述金属架体内设有与所述金属 |
| 23 | CN204886685U | 能降低反向恢复损耗的全桥电路 | 2015.12.16 | 本实用新型涉及一种能降低反向恢复损耗的全桥电路，其功率MOS管M1的漏极端与二极管D1的阴极端连接， |
| 24 | CN204858955U | IGTO封装结构 | 2015.12.09 | 本实用新型提供一种IGTO封装结构，包括GTO器件、驱动电路板，所述GTO器件包括绝缘壳体，绝缘壳体 |
| 25 | CN105047718A | 提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法 | 2015.11.11 | 本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOS |
| 26 | CN105023949A | 能实现反向阻断的MOSFET | 2015.11.04 | 本发明涉及一种能实现反向阻断的MOSFET，按照本发明提供的技术方案，所述能实现反向阻断的MOSFE |
| 27 | CN105024576A | 集成门极可关断晶闸管三电平功率模块 | 2015.11.04 | 本发明涉及一种集成门极可关断晶闸管三电平功率模块，其包括金属架体，在所述金属架体内设有与所述金属架体 |
| 28 | CN105006955A | IGTO封装结构 | 2015.10.28 | 本发明提供一种IGTO封装结构，包括GTO器件、驱动电路板，所述GTO器件包括绝缘壳体，绝缘壳体的顶 |
| 29 | CN104319287A | 一种沟槽栅型半导体器件结构及其制作方法 | 2015.01.28 | 本发明提供一种沟槽栅型半导体器件结构，包括：衬底；至少两条相互平行排列的沟槽栅结构；将各沟槽栅结构并 |
| 30 | CN204668310U | 高压超结MOSFET器件终端结构 | 2015.09.23 | 本实用新型涉及一种高压超结MOSFET器件终端结构，包括元胞区和终端区，其特征是：所述终端区包括N型 |
| 31 | CN204632765U | 一种非对称超结MOSFET结构 | 2015.09.09 | 本实用新型提供一种非对称超结MOSFET结构，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括N型重 |
| 32 | CN204596795U | 一种半超结MOSFET结构 | 2015.08.26 | 本实用新型提供一种半超结MOSFET结构，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括：N型重掺 |
| 33 | CN204596794U | 一种超结MOSFET终端结构 | 2015.08.26 | 本实用新型提供一种超结MOSFET终端结构，包括：N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺杂外延层；所述 |
| 34 | CN204596793U | 一种高压超结MOSFET结构 | 2015.08.26 | 本实用新型提供一种高压超结MOSFET结构，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括：N型重 |
| 35 | CN104851908A | 高压超结MOSFET器件终端结构及其制作方法 | 2015.08.19 | 本发明涉及一种高压超结MOSFET器件终端结构及其制作方法，包括元胞区和终端区，其特征是：所述终端区 |
| 36 | CN104779295A | 一种半超结MOSFET结构及其制作方法 | 2015.07.15 | 本发明提供一种半超结MOSFET结构及其制作方法，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括： |
| 37 | CN104779298A | 一种超结MOSFET终端结构及其制作方法 | 2015.07.15 | 本发明提供一种超结MOSFET终端结构及其制作方法，该结构包括：N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺 |
| 38 | CN104779297A | 一种高压超结MOSFET结构及其制作方法 | 2015.07.15 | 本发明提供一种高压超结MOSFET结构及其制作方法，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括 |
| 39 | CN104779296A | 一种非对称超结MOSFET结构及其制作方法 | 2015.07.15 | 本发明提供一种非对称超结MOSFET结构及其制作方法，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包 |
| 40 | CN204424263U | 一种沟槽MOSFET结构 | 2015.06.24 | 本实用新型提供一种沟槽MOSFET结构，该结构包括N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型轻 |
| 41 | CN204391119U | 一种双沟槽场效应管 | 2015.06.10 | 本实用新型提供一种双沟槽场效应管，包含若干行器件结构，一行器件结构中源区左侧设置为源区接触电极、右侧 |
| 42 | CN104658901A | 一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法 | 2015.05.27 | 本发明提供一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，包括步骤：1)提供一衬底，在所述衬底表面生长一外延 |
| 43 | CN204361105U | 一种沟槽MOSFET器件 | 2015.05.27 | 本实用新型提供一种沟槽MOSFET器件，所述器件包括N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型 |
| 44 | CN104637822A | 一种双沟槽场效应管及其制备方法 | 2015.05.20 | 本发明提供一种双沟槽场效应管及其制备方法，所述制备方法至少包括场效应管的版图布局方法，所述版图布局方 |
| 45 | CN104638011A | 一种沟槽MOSFET器件及其制作方法 | 2015.05.20 | 本发明提供一种沟槽MOSFET器件及其制作方法，所述器件包括N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底 |
| 46 | CN104617147A | 一种沟槽MOSFET结构及其制作方法 | 2015.05.13 | 本发明提供一种沟槽MOSFET结构及其制作方法，该结构包括N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上 |
| 47 | CN104362091A | 双沟槽场效应管的制造方法 | 2015.02.18 | 本发明提供一种双沟槽场效应管的制造方法，包括步骤：提供第一导电类型的半导体衬底以及第一导电类型的掺杂 |
| 48 | CN104300001A | 一种MOSFET芯片布局结构 | 2015.01.21 | 本发明提供一种MOSFET芯片布局结构，所述MOSFET芯片包括栅极焊盘、栅极金属线及至少一组环形沟 |
| 49 | CN104280676A | 带偏置电源的功率半导体器件的检测电路 | 2015.01.14 | 本发明提供一种带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，所述检测电路包括：齐纳二极管、三极管、包括发光器 |
| 50 | CN104282744A | 一种IGBT器件结构 | 2015.01.14 | 本发明提供一种IGBT器件结构，包括：集电极金属、P型集电极层、N型漂移区、P型环、交替排布并通过设 |
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